IRG4BC20FD

Symbol Micros: TIRG4bc20fd

Gehäuse: TO220

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;

Parameter

Gate-Ladung:	40nC
Maximale Verlustleistung:	60W
Max. Kollektor-Strom:	16A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	64A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC20FDPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	3,3703	2,9969	2,7719	2,6594	2,5923

Gate-Ladung:	40nC
Maximale Verlustleistung:	60W
Max. Kollektor-Strom:	16A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	64A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT