IRG4BC20KD-S

Symbol Micros: TIRG4bc20kd-s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 32A; 60W; 3,0V~6,0V; 51nC; -55°C~150°C; Äquivalent: IRG4BC20KD-SPBF; IRG4BC20KDSTRLP; IRG4BC20KDSTRRP;

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Parameter
Gate-Ladung: 51nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 16A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 32A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC20KD-S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5375 1,2253 1,0483 0,9435 0,9039
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Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 51nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 16A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 32A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

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