IRG4BC30FD

Symbol Micros: TIRG4bc30fd

Gehäuse: TO220

Trans IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	77nC
Maximale Verlustleistung:	100W
Max. Kollektor-Strom:	31A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	77nC
Maximale Verlustleistung:	100W
Max. Kollektor-Strom:	31A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V