IRG4BC30FD-S
Symbol Micros:
TIRG4bc30fd-s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 77nC |
| Maximale Verlustleistung: | 100W |
| Max. Kollektor-Strom: | 31A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Gate-Ladung: | 77nC |
| Maximale Verlustleistung: | 100W |
| Max. Kollektor-Strom: | 31A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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