IRG4BC30KD

Symbol Micros: TIRG4bc30kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
28A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IRG4BC30KDPBF
Parameter
Gate-Ladung: 100nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom: 28A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 58A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC30KD RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,2593 2,9094 2,6981 2,5619 2,5079
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 100nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom: 28A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 58A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V