IRG4BC30U

Symbol Micros: TIRG4bc30u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30UPBF;

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Parameter
Gate-Ladung: 75nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom: 23A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 92A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC30UPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,8961 2,4095 2,1218 1,9393 1,8691
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 75nC
Maximale Verlustleistung: 100W
Max. Kollektor-Strom: 23A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 92A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT