IRG4BC40F
Symbol Micros:
TIRG4bc40f
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 49A; 200A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40FPBF;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 150nC |
| Maximale Verlustleistung: | 160W |
| Max. Kollektor-Strom: | 49A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Gate-Ladung: | 150nC |
| Maximale Verlustleistung: | 160W |
| Max. Kollektor-Strom: | 49A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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