IRG4BC40F

Symbol Micros: TIRG4bc40f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 49A; 200A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40FPBF;
Parameter
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 160W
Max. Kollektor-Strom: 49A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC40F RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,3477 2,7566 2,5341 2,4168 2,3905
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
20
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 160W
Max. Kollektor-Strom: 49A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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