IRG4BC40S

Symbol Micros: TIRG4bc40s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 160W; 3,0V~6,0V; 150nC; -55°C~150°C; IRG4BC40SPBF

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Parameter
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 160W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BC40SPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 4,0046 3,5589 3,2933 3,1606 3,0800
Standard-Verpackung:
10
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 160W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT