IRG4BH20K-LPBF

Symbol Micros: TIRG4bh20k-L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO262
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRG4BH20K-LPBF Gehäuse: TO262  
Auf Lager:
1 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8113 1,4356 1,2203 1,1222 1,0647
Standard-Verpackung:
1
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO262
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT