IRG4BH20K-LPBF

Symbol Micros: TIRG4bh20k-L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW
Parameter
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO262
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRG4BH20K-LPBF Gehäuse: TO262  
Auf Lager:
1 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,7776 1,4089 1,1976 1,1013 1,0449
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Standard-Verpackung:
1
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO262
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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