IRG4BH20K-S

Symbol Micros: TIRG4bh20k-s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BH20K-S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6014 1,2234 1,0120 0,8876 0,8430
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD