IRG4BH20K-S

Symbol Micros: TIRG4bh20k-s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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11A; 1200V; 60W; IGBT
Parameter
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4BH20K-S RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6015 1,2234 1,0121 0,8876 0,8430
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Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 43nC
Maximale Verlustleistung: 60W
Max. Kollektor-Strom: 11A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 22A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

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