IRG4BH20K-S
Symbol Micros:
TIRG4bh20k-s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 43nC |
| Maximale Verlustleistung: | 60W |
| Max. Kollektor-Strom: | 11A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 22A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Gate-Ladung: | 43nC |
| Maximale Verlustleistung: | 60W |
| Max. Kollektor-Strom: | 11A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 22A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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