IRG4RC10UDTRRP
Symbol Micros:
TIRG4rc10ud
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Parameter
Gate-Ladung: | 22nC |
Maximale Verlustleistung: | 38W |
Max. Kollektor-Strom: | 8,5A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 34A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | International Rectifier |
Gate-Ladung: | 22nC |
Maximale Verlustleistung: | 38W |
Max. Kollektor-Strom: | 8,5A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 34A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,0V ~ 6,0V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | International Rectifier |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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