IRG4RC10UDTRRP

Symbol Micros: TIRG4rc10ud
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Parameter
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 38W
Max. Kollektor-Strom: 8,5A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 34A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4RC10UDTRRP RoHS Gehäuse: DPAK Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4911 1,1365 0,9416 0,8242 0,7843
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 38W
Max. Kollektor-Strom: 8,5A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 34A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD