IRG4RC10UDTRRP Infineon Technologies

Symbol Micros: TIRG4rc10ud
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 8,5A; 34A; 38W; 3,0V~6,0V; 22nC; -55°C~150°C; Äquivalent: IRG4RC10UDTRLP; IRG4RC10UDTRP;
Parameter
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 38W
Max. Kollektor-Strom: 8,5A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 34A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRG4RC10UDTRRP RoHS Gehäuse: DPAK Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5195 1,1581 0,9595 0,8399 0,7992
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Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 38W
Max. Kollektor-Strom: 8,5A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 34A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 6,0V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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