IRG7PH35UD1-EP

Symbol Micros: TIRG7ph35ud1-ep

Gehäuse: TO247AD

50A; 1200V; 179W; IGBT w/ Diode

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Parameter

Gate-Ladung:	130nC
Maximale Verlustleistung:	179W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247AD
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	130nC
Maximale Verlustleistung:	179W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247AD
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	30V