IRGB15B60KD

Symbol Micros: TIRGB15b60kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 31A; 62A; 208W; 3,5V~5,5V; 84nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 84nC
Maximale Verlustleistung: 208W
Max. Kollektor-Strom: 31A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 62A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGB15B60KD RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
19 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,8077 2,4264 2,2017 2,0590 2,0052
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 84nC
Maximale Verlustleistung: 208W
Max. Kollektor-Strom: 31A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 62A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT