IRGB15B60KD
Symbol Micros:
TIRGB15b60kd
Gehäuse: TO220
31A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Gate-Ladung: | 84nC |
| Maximale Verlustleistung: | 208W |
| Max. Kollektor-Strom: | 31A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 62A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Gate-Ladung: | 84nC |
| Maximale Verlustleistung: | 208W |
| Max. Kollektor-Strom: | 31A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 62A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole