IRGB15B60KD
Symbol Micros:
TIRGB15b60kd
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 31A; 62A; 208W; 3,5V~5,5V; 84nC; -55°C~150°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 84nC |
Maximale Verlustleistung: | 208W |
Max. Kollektor-Strom: | 31A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 62A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Gate-Ladung: | 84nC |
Maximale Verlustleistung: | 208W |
Max. Kollektor-Strom: | 31A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 62A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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