IRGB6B60KD

Symbol Micros: TIRGB6b60Kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
13A; 600V; 90W; IGBT w/ Diode
Parameter
Gate-Ladung: 18,2nC
Maximale Verlustleistung: 90W
Max. Kollektor-Strom: 18A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 26A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGB6B60KD RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9396 1,5475 1,3244 1,1905 1,1412
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 18,2nC
Maximale Verlustleistung: 90W
Max. Kollektor-Strom: 18A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 26A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole