IRGB6B60KD

Symbol Micros: TIRGB6b60Kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 18A; 26A; 90W; 3,5V~5,5V; 18,2nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 18,2nC
Maximale Verlustleistung: 90W
Max. Kollektor-Strom: 18A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 26A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGB6B60KD RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9765 1,5769 1,3496 1,2132 1,1629
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Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 18,2nC
Maximale Verlustleistung: 90W
Max. Kollektor-Strom: 18A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 26A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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