IRGP20B120UD-EP

Symbol Micros: TIRGP20b120ud-ep

Gehäuse: TO247AD

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 40A; 120A; 300W; 4,0V~6,0V; 254nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	254nC
Maximale Verlustleistung:	300W
Max. Kollektor-Strom:	40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247AD
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	254nC
Maximale Verlustleistung:	300W
Max. Kollektor-Strom:	40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247AD
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT