IRGP20B120UD-EP

Symbol Micros: TIRGP20b120ud-ep
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AD
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 40A; 120A; 300W; 4,0V~6,0V; 254nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 254nC
Maximale Verlustleistung: 300W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247AD
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGP20B120UD-EP RoHS Gehäuse: TO247AD Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 4,4173 3,9268 3,6324 3,4865 3,3979
Standard-Verpackung:
10
Gate-Ladung: 254nC
Maximale Verlustleistung: 300W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,0V ~ 6,0V
Gehäuse: TO247AD
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT