IRGP30B120KD-EP

Symbol Micros: TIRGP30b120kd-ep

Gehäuse: TO247AD

60A; 1200V; 300W; IGBT w/ Diode

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Parameter

Gate-Ladung:	254nC
Maximale Verlustleistung:	300W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247AD
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	254nC
Maximale Verlustleistung:	300W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,0V ~ 6,0V
Gehäuse:	TO247AD
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V