IRGP30B60KD-EP

Symbol Micros: TIRGP30b60kd-ep

Gehäuse: TO247AD

Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 304W; 3,5V~5,5V; 153nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	153nC
Maximale Verlustleistung:	304W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	153nC
Maximale Verlustleistung:	304W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,5V ~ 5,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V