IRGP35B60PD

Symbol Micros: TIRGP35b60pd

Gehäuse: TO247AC

60A; 600V; 308W; IGBT w/ Diode

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Parameter

Gate-Ladung:	240nC
Maximale Verlustleistung:	308W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 5,0V
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	International Rectifier

Gate-Ladung:	240nC
Maximale Verlustleistung:	308W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,0V ~ 5,0V
Gehäuse:	TO247AC
Hersteller:	International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V