IRGP50B60PD1

Symbol Micros: TIRGP50B60pd1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 75A; 150A; 390W; 3,0V~5,0V; 308nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 308nC
Maximale Verlustleistung: 390W
Max. Kollektor-Strom: 75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 5,0V
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGP50B60PD1 RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 50+ 100+
Nettopreis (EUR) 5,5300 4,9611 4,7091 4,6491 4,6083
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Standard-Verpackung:
25
Gate-Ladung: 308nC
Maximale Verlustleistung: 390W
Max. Kollektor-Strom: 75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,0V ~ 5,0V
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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