IRGR3B60KD2TRRP

Symbol Micros: TIRGR3b60kd2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 7,8A; 15,6A; 52W; 3,5V~5,5V; 20nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 20nC
Maximale Verlustleistung: 52W
Max. Kollektor-Strom: 7,8A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 15,6A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: International Rectifier
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRGR3B60KD2TRRP RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0054 0,6695 0,5544 0,5003 0,4792
Standard-Verpackung:
100
Gate-Ladung: 20nC
Maximale Verlustleistung: 52W
Max. Kollektor-Strom: 7,8A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 15,6A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,5V ~ 5,5V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: International Rectifier
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD