IRGR3B60KD2TRRP
Symbol Micros:
TIRGR3b60kd2
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 7,8A; 15,6A; 52W; 3,5V~5,5V; 20nC; -55°C~150°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 20nC |
Maximale Verlustleistung: | 52W |
Max. Kollektor-Strom: | 7,8A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 15,6A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | International Rectifier |
Gate-Ladung: | 20nC |
Maximale Verlustleistung: | 52W |
Max. Kollektor-Strom: | 7,8A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 15,6A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | International Rectifier |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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