IRGR3B60KD2TRRP
Symbol Micros:
TIRGR3b60kd2
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
| Gate-Ladung: | 20nC |
| Maximale Verlustleistung: | 52W |
| Max. Kollektor-Strom: | 7,8A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 15,6A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Gate-Ladung: | 20nC |
| Maximale Verlustleistung: | 52W |
| Max. Kollektor-Strom: | 7,8A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 15,6A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,5V ~ 5,5V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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