IRL1004
Symbol Micros:
TIRL1004
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 9mOhm; 130A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL1004PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
Max. Drainstrom: | 130A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL1004 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,6107 | 2,1390 | 1,8635 | 1,6954 | 1,6323 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL1004PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6323 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL1004PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6323 |
Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
Max. Drainstrom: | 130A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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