IRL1404ZS
Symbol Micros:
TIRL1404zs
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0.0031Ω IRL1404ZSPBF IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSPBF-GURT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,1mOhm |
Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL1404ZSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7858 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL1404ZSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6613 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,1mOhm |
Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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