IRL2203N

Symbol Micros: TIRL2203n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL2203NPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 116A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL2203NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
238 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6168 1,2351 1,0218 0,8961 0,8511
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 116A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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