IRL2505

Symbol Micros: TIRL2505
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 13mOhm; 104A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL2505PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 104A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL2505PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
21 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9602 1,6425 1,4602 1,3481 1,3060
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 104A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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