IRL2910PBF International Recitifier

Symbol Micros: TIRL2910
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT