IRL2910STRLPBF
Symbol Micros:
TIRL2910s
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL2910SPBF; IRL2910STRLPBF; IRL2910STRRPBF; IRL2910SPBF-GURT; IRL2910S;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 55A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL2910STRLPBF RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
980 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8411 | 1,5350 | 1,3598 | 1,2757 | 1,2266 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL2910STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
6400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2266 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRL2910STRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2266 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 55A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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