IRL3705N

Symbol Micros: TIRL3705n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL3705NPBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 89A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
94 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2846 0,9009 0,7207 0,6996 0,6762
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
307450 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6762
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL3705NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7163
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 89A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT