IRL3705ZPBF

Symbol Micros: TIRL3705z

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 86A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	86A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL3705Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

450 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,7757	1,4159	1,2126	1,0888	1,0444

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	86A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT