IRL3803VPBF

Symbol Micros: TIRL3803v

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 7,5 mOhm; 140A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,5mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	7,5mOhm
Max. Drainstrom:	140A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT