IRL510

Symbol Micros: TIRL510
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Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 5,6A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL510PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRL510 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8551 0,5374 0,4206 0,3972 0,3715
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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