IRL520N

Symbol Micros: TIRL520n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 260 mOhm; 10A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL520NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL520N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
133 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1098 0,7360 0,5677 0,5350 0,5280
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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