IRL520N

Symbol Micros: TIRL520n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET HEXFET 100V 10A 48W 0.180Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL520N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
135 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1105 0,7364 0,5681 0,5354 0,5284
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: THT

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