IRL520NS

Symbol Micros: TIRL520ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET HEXFET 100V 10A 3.8W 0.18Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL520NSTRL RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
388 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0754 0,7154 0,5915 0,5330 0,5120
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Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL520NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0754 0,7154 0,5915 0,5330 0,5120
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Standard-Verpackung:
800
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD

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