IRL520NS

Symbol Micros: TIRL520ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 260 mOhm; 10A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL520NSTRLPBF; IRL520NSPBF; IRL520NSPBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	260mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL520NSTRL RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Auf Lager:

203 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0848	0,7216	0,5967	0,5377	0,5165

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL520NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)

Auf Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0848	0,7216	0,5967	0,5377	0,5165

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL520NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

250 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5165

Widerstand im offenen Kanal:	260mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD