IRL530NPBF INFINEON

Symbol Micros: TIRL530n

Gehäuse: TO220AB

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 150 mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRL530NPBF RoHS Gehäuse: TO220AB

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0607	0,7780	0,6238	0,5350	0,5047

Widerstand im offenen Kanal:	150mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220AB
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT