IRL540NS

Symbol Micros: TIRL540ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL540NSPBF-GURT; IRL540NSTRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	63mOhm
Max. Drainstrom:	36A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL540NSTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,8668	1,3855	1,2103	1,1238	1,0981

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

8800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0981

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

20800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0981

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL540NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

1460 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0981

Widerstand im offenen Kanal:	63mOhm
Max. Drainstrom:	36A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD