IRL630

Symbol Micros: TIRL630
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 10V; 500 mOhm; 9A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRL630PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRL630 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
88 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9409 0,6908 0,5527 0,4740 0,4478
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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