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IRL6342PBF International Rectifier

Symbol Micros: TIRL6342

Gehäuse: SOIC08

N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 19mOhm; 9,9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRL6342TRPBF; IRL6342PBF SPQ96; IRL6342PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	19mOhm
Max. Drainstrom:	9,9A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL6342TRPBF RoHS Gehäuse: SOIC08t/r

Auf Lager:

1200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4603	0,2780	0,2142	0,1932	0,1839

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRL6342TRPBF RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt

Auf Lager:

43 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4603	0,2780	0,2142	0,1932	0,1839

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL6342TRPBF Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

2800 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1839

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRL6342TRPBF Gehäuse: SOIC08

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1839

Widerstand im offenen Kanal:	19mOhm
Max. Drainstrom:	9,9A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOIC08
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD