IRL640
Symbol Micros:
TIRL640
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 200V 17A 125W 0.18Ω
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
Max. Drainstrom: | 17A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole