IRLB3034

Symbol Micros: TIRLB3034

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB3034PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2mOhm
Max. Drainstrom:	343A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB3034 RoHS IRLB3034PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

67 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,9802	1,4688	1,2236	1,1816	1,1653

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3034PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

795 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5593

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3034PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

170 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,3351

Widerstand im offenen Kanal:	2mOhm
Max. Drainstrom:	343A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,6066	1,2260	1,0135	0,8897	0,8453