IRLB3034

Symbol Micros: TIRLB3034
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB3034PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2mOhm
Max. Drainstrom: 343A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB3034 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9851 1,4724 1,2266 1,1845 1,1681
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Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB3034 RoHS IRLB3034PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9851 1,4724 1,2266 1,1845 1,1681
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Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 2mOhm
Max. Drainstrom: 343A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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