IRLB3034

Symbol Micros: TIRLB3034
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2mOhm
Max. Drainstrom: 343A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB3034 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
27 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,1744 1,6719 1,4207 1,3760 1,3596
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Standard-Verpackung:
50/150
Widerstand im offenen Kanal: 2mOhm
Max. Drainstrom: 343A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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