IRLB3036

Symbol Micros: TIRLB3036
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET 195A 60V 380W 0.0024Ω IRLB3036PBF IRLB3036GPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3036PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 2,4958 1,9789 1,7875 1,7205 1,6631
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 270A
Maximaler Leistungsverlust: 380W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole