IRBL3813

Symbol Micros: TIRLB3813

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2,6 mOhm; 260A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRBL3813PBF; IRLB3813PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,6mOhm
Max. Drainstrom:	260A
Maximaler Leistungsverlust:	230W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB3813 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6901	1,2541	1,0431	1,0173	0,9939

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3813PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

14269 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,9939

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB3813PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	10+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,9939

Widerstand im offenen Kanal:	2,6mOhm
Max. Drainstrom:	260A
Maximaler Leistungsverlust:	230W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT