IRBL3813
Symbol Micros:
TIRLB3813
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2,6 mOhm; 260A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRBL3813PBF; IRLB3813PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 260A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLB3813PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
690 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6912 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLB3813PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9819 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6052 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 260A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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