IRLB4030
Symbol Micros:
TIRLB4030
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB4030PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 180A |
Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 45+ | 135+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,3253 | 2,7579 | 2,4216 | 2,2184 | 2,1460 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,3253 | 2,5991 | 2,3212 | 2,2254 | 2,1460 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1636 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,1460 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
160 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,1460 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 180A |
Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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