IRLB4030

Symbol Micros: TIRLB4030
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB4030PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 45+ 135+
Nettopreis (EUR) 3,3253 2,7579 2,4216 2,2184 2,1460
Standard-Verpackung:
45
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,3253 2,5991 2,3212 2,2254 2,1460
Standard-Verpackung:
5
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1636 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,1460
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
160 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,1460
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT