IRLB4132

Symbol Micros: TIRLB4132

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,5 mOhm; 150A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB4132PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	150A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB4132PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8488	0,5373	0,4232	0,3852	0,3685

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4132PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1400 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3685

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	150A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT