IRLB8743

Symbol Micros: TIRLB8743

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,2 mOhm; 150A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB8743PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	150A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

70 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1682	0,8177	0,6542	0,6355	0,6145

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1682	0,8177	0,6542	0,6355	0,6145

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

41200 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6145

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

280 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7265

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB8743PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6145

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	150A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT