IRLD014PBF

Symbol Micros: TIRLD014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 1,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLD014 RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5880 0,3272 0,2561 0,2418 0,2347
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLD014PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
1305 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2525
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLD014PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
1150 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3368
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT