IRLD024

Symbol Micros: TIRLD024
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 140 mOhm; 2,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLD024PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLD024 RoHS Gehäuse: PDIP04  
Auf Lager:
23 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 10+ 20+ 85+
Nettopreis (EUR) 0,6530 0,4743 0,3932 0,3408 0,2836
Standard-Verpackung:
85
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLD024PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
1460 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3593
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLD024PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4284
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT