IRLD024

Symbol Micros: TIRLD024
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 140 mOhm; 2,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLD024PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLD024 RoHS Gehäuse: PDIP04  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 10+ 20+ 85+
Nettopreis (EUR) 0,6482 0,4708 0,3903 0,3383 0,2815
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Standard-Verpackung:
85
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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