IRLD110

Symbol Micros: TIRLD110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 1A; 1,3 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLD110PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLD110PBF RoHS Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7412 0,4647 0,3861 0,3432 0,3217
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLD110PBF Gehäuse: PDIP04HVMDIP  
Externes Lager:
2100 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3217
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: PDIP04HVMDIP
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT