IRLHS6376

Symbol Micros: TIRLHS6376

Gehäuse: PQFN06(2x2)

2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 82mOhm; 3,6A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLHS6376TRPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	PQFN06(2x2)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	82mOhm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	PQFN06(2x2)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD