IRLI3705N

Symbol Micros: TIRLI3705n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET HEXFET 55V 52A 58W 0.01Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLI3705N RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7441 1,2952 1,1316 1,0521 1,0263
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: THT

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