IRLIZ34N

Symbol Micros: TIRLIZ34n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 60mOhm; 22A; 37W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLIZ34NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT