IRLL024N smd
Symbol Micros:
TIRLL024
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 100 mOhm; 4,4A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL024NPBF-GURT; IRLL024NTRPBF; IRLL024N-GURT;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
4530 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4730 | 0,2857 | 0,2199 | 0,1983 | 0,1887 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
261500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1887 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
5700 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2447 |
Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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