IRLL024N smd

Symbol Micros: TIRLL024
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 100 mOhm; 4,4A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL024NPBF-GURT; IRLL024NTRPBF; IRLL024N-GURT;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
4530 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4730 0,2857 0,2199 0,1983 0,1887
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
261500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1887
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLL024NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
5700 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2447
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD